新闻动态
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202512-30
- 台积电2nm正式量产！你猜第一家首发是谁
- 12月30日最新消息，台积电已悄然启动N22纳米制程的大规模生产，虽未对外正式宣布，但实际进展与早前公布的路线图完全一致。在其官网2nm工艺专题页面中明确写道：...
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202512-23
- 塔塔电子将在印度为罗姆提供后端封测服务，
- 12月23日消息，日本半导体厂商ROHM（罗姆）于当地时间昨日宣布，已与印度塔塔电子（TataElectronics）正式建立战略合作伙伴关系，共同推进在印度本...
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202512-17
- 三星宣布突破10nm DRAM技术 新型
- 12月17日，据TheElec消息，三星联合三星先进技术研究所（SAIT）已成功研发出一款新型晶体管，可支持在10纳米以下制程节点制造DRAM芯片。这项技术突破...
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202512-15
- 史诗级突破！台积电A14工艺对比N7，能
- 2025年12月8日，全球领先的半导体代工企业台积电（TSMC）在欧洲OIP（OpenInnovationPlatform）生态系统论坛上正式披露其面向2028...
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202512-08
- 为什么硅成为芯片的首选材料：原因揭开
- 很多人都知道CPU的原材料是硅晶圆，说白了就是从沙子中提炼出来的。但你可能没意识到，除了CPU之外，我们日常使用的绝大多数电子设备——从手机到电脑、从路由器到智...
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202509-30
- CPU制造工艺纳米数对功耗的影响机制？
- 纳米数越小，CPU功耗通常越低，核心在于晶体管尺寸缩小使栅极电容减小、工作电压降低，从而减少动态功耗，并通过FinFET、高-k金属栅等技术抑制漏电流，结合架构...
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202508-15
- MPS推出车规级三相栅极驱动器IC新产品
- 汽车12V至48V系统全面兼容MPS芯源系统（NASDAQ：MPWR）最新推出的MPQ6539-AEC1，是一款面向三相无刷直流（BLDC）电机驱动应用的车规级...
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202501-09
- 中科院基于新型SiC复合衬底的低成本MO
- 中科院微电子所刘新宇研究员团队与合作伙伴成功研制出高性能低成本1200VSiCMOSFET，该成果基于新型6英寸SiC复合衬底。SiC晶圆产业面临产能扩张与高质...
